数据列表

RQ3E100MNTB1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

10A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

12.3 毫欧 @ 10A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

520 pF @ 15 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

9.9 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

8-HSMT（3.2x3）

功率耗散（最大值） :

2W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V