产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- TPH3R003PL,LQ
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 88A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.1V @ 300µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 4.2 毫欧 @ 44A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3825 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 50 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOP Advance(5x5)
- 功率耗散(最大值) :
- 90W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerVDFN
- 工作温度 :
- 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR32BP3R0BCZSAC
CDR32BP3R0BDYMAC
CDR32BP3R0BDZSAC
CDR32BP3R3BCUSAB
CDR32BP3R3BCUSAJ
CDR32BP3R3BCUSAR
CDR32BP3R3BCUSAT
CDR32BP3R3BCYRAB
CDR32BP3R3BCZSAC
CDR32BP3R3BDZSAC
CDR32BP3R6BCZSAC
CDR32BP3R6BDYMAC
CDR32BP3R6BDZSAC
CDR32BP3R9BCUSAB
CDR32BP3R9BCUSAJ
CDR32BP3R9BCUSAR
CDR32BP3R9BCUSAT
CDR32BP3R9BCZSAC
CDR32BP430BFWRAB
CDR32BP430BFZSAC
