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IXTA1R6N100D2HV

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.6A（Tj）

FET 功能 :

耗尽模式

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4.5V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

10 欧姆 @ 800mA，0V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

645 pF @ 10 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

27 nC @ 5 V

供应商器件封装 :

TO-263HV

功率耗散（最大值） :

100W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

1000 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

0V