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TK2R4E08QM,S1X

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

120A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 2.2mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

2.44 毫欧 @ 50A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

13000 pF @ 40 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

178 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

TO-220

功率耗散（最大值） :

300W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-220-3

工作温度 :

175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

80 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

6V，10V