数据列表

XPW4R10ANB,L1XHQ

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

70A

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

4.1 毫欧 @ 35A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

4970 pF @ 10 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

75 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

8-DSOP Advance

功率耗散（最大值） :

170W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

-55°C ~ 175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

6V，10V