产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FDD86369-F085
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 90A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 7.9 毫欧 @ 80A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2530 pF @ 40 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 54 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-252AA
- 功率耗散(最大值) :
- 150W(Tj)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 80 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
WLCW1005Z0G3N9TB
LQW18ANR47J0ZD
BSCL00321611220K00
ILSB1206ERR12K
WLCW2520Z0GR47PB
LSBHB2520MKT1R0M
AWCS0023171533NJ00
BWCS00231715R10K00
WLCW1005Z0G33NTB
LQW18AN9N9G80D
BSCL003216112R7K00
ILSB1206ERR15K
WLCW2520Z0GR43PB
LSBHB2012KKT2R2M
AWCS0023171556NG00
BWCM00181010R21JH8
LQW18AN6N5G80D
WLCW1005Z0G40NTB
BSCL003216112R7L00
ILSB1206ERR27K