产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PMV35EPER
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 5.3A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 45 毫欧 @ 4.2A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 793 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 19.2 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率耗散(最大值) :
- 480mW(Ta),1.2W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MAX6442KAEITD3+T
MAX6442KAEIRD7+T
MAX6442KACGYD3+T
MAX6442KAAGSD3+T
MAX6442KAEHZD3+T
MAX6442KAAGRD3+T
MAX6442KAAGWD3+T
MAX6442KAAGTD7+T
MAX6442KAAGVD7+T
MAX6442KAAGVD3+T
MAX6442KAAGSD7+T
MAX6442KAAGTD3+T
MAX6442KAEISD3+T
MAX6442KAEIRD3+T
MAX6442KAAGWD7+T
MAX6442KAFGZD3+T
MAX6442KAEGTD7+T
MAX6442KAEGTD3+T
MAX6442KAEIVD3+T
MAX6442KAEIWD7+T
