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SCT2H12NYTB

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

4A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+22V，-6V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 410µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1.5 欧姆 @ 1.1A，18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

184 pF @ 800 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

14 nC @ 18 V

供应商器件封装 :

TO-268

功率耗散（最大值） :

44W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

工作温度 :

175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1700 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

18V