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BSM180C12P2E202

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

204A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+22V，-6V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 35.2mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

20000 pF @ 10 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

模块

功率耗散（最大值） :

1360W（Tc）

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

175°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-