产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- TK17A80W,S4X
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 17A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 850µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 290 毫欧 @ 8.5A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2050 pF @ 300 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 32 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220SIS
- 功率耗散(最大值) :
- 45W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3 整包
- 工作温度 :
- 150°C
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 800 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216N-7681-D-T5
RG3216N-7871-D-T5
RG3216N-8061-D-T5
RG3216N-8251-D-T5
RG3216N-8451-D-T5
RG3216N-8661-D-T5
RG3216N-8871-D-T5
RG3216N-9091-D-T5
RG3216N-9311-D-T5
RG3216N-9531-D-T5
RG3216N-9761-D-T5
RG3216N-1022-D-T5
RG3216N-1052-D-T5
RG3216N-1072-D-T5
RG3216N-1132-D-T5
RG3216N-1152-D-T5
RG3216N-1182-D-T5
RG3216N-1212-D-T5
RG3216N-1242-D-T5
RG3216N-1272-D-T5
