产品概览
文档与媒体
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 50mA(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- +30V,-25V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.5V @ 1µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 50 欧姆 @ 1mA,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- SOT-143-4
- 功率耗散(最大值) :
- 300mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-253-4,TO-253AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 125°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 5V,25V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R2BTTD5421F100
RN73R2BTTD5693F25
RN73R2BTTD8250D100
RN73R2BTTD6802D25
RN73R2BTTD59R7D100
RN73R2BTTD59R0F100
RN73R2BTTD5692F100
RN73R2BTTD8453D50
RN73R2BTTD77R7D50
RN73R2BTTD6040F25
RN73R2BTTD6813D50
RN73R2BTTD5360F50
RN73R2BTTD9420F50
RN73R2BTTD8562F100
RN73R2BTTD6982D100
RN73R2BTTD66R5F50
RN73R2BTTD7321D50
RN73R2BTTD94R2D50
RN73R2BTTD69R0F100
RN73R2BTTD56R2F25
