数据列表

XPW6R30ANB,L1XHQ

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

45A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 500µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

6.3 毫欧 @ 22.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

3240 pF @ 10 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

52 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

8-DSOP Advance

功率耗散（最大值） :

960mW（Ta），132W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

175°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

6V，10V