数据列表

RQ1A070APTR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

7A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

-8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

14 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

7800 pF @ 6 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

80 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

TSMT8

功率耗散（最大值） :

550mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.5V，4.5V