数据列表

SSM6J808R,LF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

7A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

+10V，-20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 100µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

35 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

24.2 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

6-TSOP-F

功率耗散（最大值） :

1.5W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

40 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4V，10V