产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BSC032NE2LSATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 22A(Ta),84A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 3.2 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1200 pF @ 12 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 16 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TDSON-8-6
- 功率耗散(最大值) :
- 2.8W(Ta),78W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 25 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C9TS6MD5411AARX
C44USGT6165M83K
C9TS5MD5311AARX
C9TS6MD5274AARX
C44USGT6120M81K
C44AHGP6100ZA0J
C44UUGT6165M81K
C44UQGT6360M84K
C44PKGR6100RASJ
C44UQGT6240M81K
C44UVGT6150M85K
C44UQGT6320M83K
C44UVGT6175M86K
C44PPGR5470RASK
44AJGR5750ZA0J
C44UOGT6500M83K
C4DEIPQ6100A8TK
C44UVGT6110M82K
C44UOGT6100A8TK
C9TS6MD5830AARX