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C3M0280090J-TR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

11A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+18V，-8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

3.5V @ 1.2mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

360 毫欧 @ 7.5A，15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

150 pF @ 600 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

9.5 nC @ 15 V

供应商器件封装 :

TO-263-7

功率耗散（最大值） :

50W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

900 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

15V