产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PJA3415_R1_00001
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.2V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 57 毫欧 @ 4A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 756 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 18 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率耗散(最大值) :
- 1.25W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 1.8V,4.5V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MLASG31LAB7106KTNB25
GQM1875G2E2R0BB12D
GQM1875G2E2R2BB12D
GQM1875G2E1R6BB12D
GQM1875G2ER10BB12D
GQM1875G2ER30BB12D
GQM1875G2E1R5BB12D
GQM1875G2ER70BB12D
GQM1875G2E3R0BB12D
GQM1875G2E1R8BB12D
GQM1875G2E4R7BB12D
GQM1875G2E5R6BB12D
GQM1875G2E4R3BB12D
GQM1875G2E3R6BB12D
GQM1875G2ER40BB12D
GQM1875G2ER60BB12D
GQM1875G2E7R5BB12D
GQM1875G2ER20BB12D
GQM1875G2E2R7BB12D
GQM1875G2E6R8BB12D
