产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NE85633-T1B-R23-A
产品详情
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 50 @ 20mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) :
- 1.1dB @ 1GHz
- 增益 :
- 11.5dB
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 12V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 频率 - 跃迁 :
- 7GHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LQH31CN101K03L
LQM2MPN2R2MEHL
LQG15HS4N7C02D
LQP03TN12NJ02D
LQG18HN3N3S00D
LQG15HS9N1J02D
LQW18AN19NG8ZD
SRN8040-2R2Y
ASMPH-0603-1R5M-T
LQG15HS8N2H02D
LQP03TN39NJ02D
LQG18HN3N9S00D
LQG15HN2N2S02D
LQW18AN28NG8ZD
SRN8040-330M
ASMPH-0603-2R2M-T
LQG15HN15NH02D
LQP03TN47NJ02D
LQG18HN1N2S00D
LQG15HS1N0S02D
