产品概览
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- 数据列表
- NE85633-T1B-R25-A
产品详情
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 20mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） :
- 1.1dB @ 1GHz
- 增益 :
- 11.5dB
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 频率 - 跃迁 :
- 7GHz
采购与库存
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