产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT918LT1G
产品详情
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 20 @ 3mA,1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3(TO-236)
- 功率 - 最大值 :
- 225mW
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) :
- 6dB @ 60MHz
- 增益 :
- 11dB
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 15V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 50mA
- 频率 - 跃迁 :
- 600MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RWR81N49R9BSS73
RWR81N1R47BSS73
RWR81N1R00BSS73
RWR81N2R00BSS73
RWR81N76R8BSS73
RWR81N90R9BSS73
RWR81N60R4BSS73
RWR81N2340BSS73
RWR81N2610BSS73
RWR81N2R37BSS73
RWR81N22R1BSS73
RWR81N20R0BSS73
RWR84N1270FSB12
RWR84N13R7FSB12
RWR84N1R80FSB12
RWR84N10R5FSB12
RWR84N1000FSB12
RWR84N10R0FSB12
RWR84N2R00FSB12
RWR84N51R1FSB12
