产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCR119SE6327BTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 500µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT363-PO
- 功率 - 最大值 :
- 250mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 晶体管类型 :
- 2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- -
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- -
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 4.7 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RK73G1JRTTD9761C
RK73G1JRTTD7502C
RK73G1JRTTD7503C
RK73G1JRTTD3831C
RK73G1JRTTD1800C
RK73G1JRTTD2430C
RK73G1JRTTD4023C
RK73G1JRTTD4220C
RK73G1JRTTD5231C
RK73G1JRTTD1820C
RK73G1JRTTD1740C
RK73G1JRTTD4122C
RK73G1JRTTD1001C
RK73G1JRTTD2703C
RK73G1JRTTD1503C
RK73G1JRTTD4320C
RK73G1JRTTD4642C
RK73G1JRTTD1271C
RK73G1JRTTD4302C
RK73G1JRTTD3482C
