产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSBC113EPDXV6T1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 5mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 3 @ 5mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 晶体管类型 :
- 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 1 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 1 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206Y2000392JXR
1206Y2000392KDR
1206Y2000392KDT
1206Y2000392KER
1206Y2000392KXR
1206Y2000392MDR
1206Y2000392MDT
1206Y2000392MER
1206Y2000392MXR
1206Y2000393JDR
1206Y2000393JDT
1206Y2000393JER
1206Y2000393JXR
1206Y2000393KDR
1206Y2000393KDT
1206Y2000393KER
1206Y2000393KXR
1206Y2000393MDR
1206Y2000393MDT
1206Y2000393MER
