数据列表

EMF8T2R

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 NPN

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，12V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

47 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

47 千欧

频率 - 跃迁 :

250MHz，320MHz