产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSBC115EDXV6T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 300µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 5mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 晶体管类型 :
- 2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 100 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 100 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNC50H3751FSB14
RNC50H3801FSB14
RNC50H3901FSB14
RNC50K3012FRB14
RNC50K3012FRRE6
RNC50K3012FSB14
RNC50H3000FSB14
RNC50K3013FRB14
RNC50K3013FRRE6
RNC50K3013FSB14
RNC50H3020FSB14
RNC50H3030FSB14
RNC50H3040FSB14
RNC50H3050FRB14
RNC50H3050FSB14
RNC50H3060FSB14
RNC50H3070FSB14
RNC50H3080FSB14
RNC50K31R6FMB14
RNC50K31R6FSB14
