数据列表

NSBA114EDXV6T1G

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

250mV @ 300µA，10mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

35 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

SOT-563

功率 - 最大值 :

500mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

晶体管类型 :

2 个 PNP 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电阻器 - 发射极 (R2) :

10 千欧

电阻器 - 基极 (R1) :

10 千欧

频率 - 跃迁 :

-