产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSBC144EPDP6T5G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 250mV @ 300µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 80 @ 5mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-963
- 功率 - 最大值 :
- 339mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-963
- 晶体管类型 :
- 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 47 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216N-56R2-D-T5
RG3216N-57R6-D-T5
RG3216N-59R0-D-T5
RG3216N-60R4-D-T5
RG3216N-61R9-D-T5
RG3216N-63R4-D-T5
RG3216N-64R9-D-T5
RG3216N-66R5-D-T5
RG3216N-68R1-D-T5
RG3216N-69R8-D-T5
RG3216N-71R5-D-T5
RG3216N-73R2-D-T5
RG3216N-76R8-D-T5
RG3216N-78R7-D-T5
RG3216N-80R6-D-T5
RG3216N-82R5-D-T5
RG3216N-84R5-D-T5
RG3216N-86R6-D-T5
RG3216N-88R7-D-T5
RG3216N-90R9-D-T5
