数据列表

2SC164S_R1_00001

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

300mV @ 5mA，50mA / 300mV @ 1mA，10mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

100 @ 10mA，1V / 100 @ 150mA，5V

供应商器件封装 :

SOT-23-6

功率 - 最大值 :

1W

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6

晶体管类型 :

2 个 NPN 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

40V，30V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

150mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

50nA，500nA（ICBO）

电阻器 - 发射极 (R2) :

-

电阻器 - 基极 (R1) :

10 千欧

频率 - 跃迁 :

300MHz，250MHz