产品概览
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- 数据列表
- MUN5132DW1T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 15 @ 5mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 250mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 晶体管类型 :
- 2 个 PNP 预偏压式（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 4.7 千欧
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 4.7 千欧
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
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