文档与媒体
- 数据列表
- BC856BS/DG/B2,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSSOP
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 65V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S29AS016J70BHI040
AS25F364MQ-10WIN
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI
IS66WVQ2M4DALL-200BLI
W25R128JWPIQ
AS6CE1016A-45ZIN
W631GU6NB15I TR
M29W640GH70ZA6E
W631GG6NB11I TR
FM24CL64B-G
W631GU8NB15I TR
W631GG8NB15I TR
IS66WVQ4M4DALL-200BLI
IS66WVQ4M4DBLL-133BLI
SST39VF3201B-70-4I-B3KE
W631GU6NB09I TR
W631GG6NB09I TR
W631GG8NB12I TR
M29W640GB6AZA6E
MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F TR
