文档与媒体
- 数据列表
- BC856BS/DG/B4X
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSSOP
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 65V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ATSAMD20J14A-MN
PIC16F15376-I/P
PIC16LF15376-I/P
EFM8BB31F16I-D-4QFN24
EFM8BB31F16I-D-QFN24R
EFM8BB31F16I-D-4QFN24R
STM32G041C8U6
STM8AF6266UCX
STM8AF6266UCY
STM32F048C6U6TR
STM32F042C6U6TR
C8051T320-GQR
PIC16F722-E/SO
PIC12CE518-04/SM
PIC16F631T-I/ML
PIC16F677-E/SS
ATMEGA88PA-MMNR
S6E1A12C0AGV20000
PIC18F46K40-E/MV
PIC18LF45K40-E/PT