文档与媒体
- 数据列表
- 2N3811
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 100µA，1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 1mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-78-6
- 功率 - 最大值 :
- 350mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-78-6 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
STM32U575RGT6
SPC560B40L5B6E0Y
R5F562T7ADFK#13
SPC560B64L3B6E0X
EFM32WG280F128-B-QFP100R
EFM32WG942F128-B-QFP64R
EFM32WG940F128-B-QFN64
R7F0E01082DNG#AA0
PIC16C57-10I/SO
PIC18LF2515T-I/SO
DSPIC33FJ64MC706A-E/PT
DSPIC33FJ128MC510AT-I/PT
PIC32MX370F512H-V/PT
DSPIC33EP512GM310T-I/PT
PIC32MK0512GPE064T-I/MR
ATSAMD51P20A-CTUT-EFP
ATSAME54P19A-CTUT-EFP
STM32F103ZDH6TR
EFM32GG12B110F1024GM64-AR
UPD70F3816GA-GAM-AX
