产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- HN3A51F(TE85L,F)
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 1mA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,6V
- 供应商器件封装 :
- SM6
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74,SOT-457
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 120V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCM2165G1H162GA16D
GCM2195G1H112GA16D
GCM2165G1H202GA16D
GCM2195G1H132GA16D
VJ1206Y123KXAPW1BC
VJ1206Y123KXJPW1BC
VJ1206Y123KXXPW1BC
VJ1206Y123MXAPW1BC
VJ1206Y153JXAPW1BC
VJ1206Y153JXJPW1BC
VJ1206Y183KXAPW1BC
VJ1206Y183KXJPW1BC
VJ1206Y183KXXPW1BC
VJ1206Y183MXAPW1BC
VJ1206Y183MXXPW1BC
VJ1206Y223JXAPW1BC
VJ1206Y223JXJPW1BC
VJ1206Y273KXAPW1BC
VJ1206Y273KXJPW1BC
VJ1206Y273KXQPW1BC
