产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NJX1675PDR2G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 115mV @ 200mA，2A / 170mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率 - 最大值 :
- 2W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz，120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR31BX681BKZPAB
CDR31BX681BKZPAC
CDR31BX681BKZPAJ
CDR31BX681BKZPAP
CDR31BX681BKZPAR
CDR31BX681BKZPAT
CDR31BX681BKZRAB
CDR31BX681BKZRAC
CDR31BX681BKZRAJ
CDR31BX681BKZRAP
CDR31BX681BKZRAR
CDR31BX681BKZRAT
CDR31BX681BKZSAB
CDR31BX681BKZSAC
CDR31BX681BKZSAJ
CDR31BX681BKZSAP
CDR31BX681BKZSAR
CDR31BX681BKZSAT
CDR31BX681BMZMAT
CDR31BX681BMZPAT
