产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- EMX2DXV6T5
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 1mA,6V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H12B93E1RT0
M55342H12B72B3RT0
M55342K06B1B00PT0
M55342K06B110ERT0V
M55342K06B20B0RT0
M55342K06B69E8RT0V
M55342K12B200BCT0
M55342K12B1B21RT0
M55342H12B47D0RT0
M55342K12B1E50RT0V
M55342K06B32B4RT0
M55342K06B24E9RT0V
M55342K12B40D2RT0V
M55342H12B180DRT0
M55342K12B8B25RT0
M55342K06B1B24RT0
M55342K06B6E34RT0V
M55342K06B38D3RT0V
M55342K06B12B4RT0
M55342K12B48B7MT0
