产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC847CDXV6T5
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD3521D100
RN731JTTD3201F25
RN731JTTD3610B50
RN731JTTD3483B25
RN731JTTD33R0D100
RN731JTTD3481B25
RN731JTTD3303F50
RN731JTTD3441C10
RN731JTTD3323D100
RN731JTTD3302C25
RN731JTTD34R8D50
RN731JTTD34R0D25
RN731JTTD37R9D100
RN731JTTD3482B50
RN731JTTD33R2C50
RN731JTTD3523C50
RN731JTTD3521B50
RN731JTTD3401B25
RN731JTTD3651C10
RN731JTTD3323D50
