文档与媒体
- 数据列表
- XN0550100L
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 160 @ 2mA,10V
- 供应商器件封装 :
- MINI6-G1
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E08B100ASWS
M55342E08B1B58SWS
M55342E08B249ASWS
M55342E08B232ASWS
M55342E08B234ASWS
M55342E08B1C50SWS
M55342E08B20B8SWS
M55342E08B1B21SWS
M55342E08B267ASWS
M55342E08B34B0SWS
M55342E08B750DSTS
M55342E08B4C02STS
M55342E08B3B40SWS
M55342E08B2C00SWS
M55342E08B4B99SWS
M55342E08B12B4SWS
M55342E08B5H10SWS
M55342E08B4F02SWS
M55342E02B240ASWP
M55342E02B8B00SWP