文档与媒体
- 数据列表
- XN0440100L
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 2mA，10V
- 供应商器件封装 :
- MINI6-G1
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G1JTTD7503C
RS73G1JTTD8450C
RS73G1JTTD7152B
RS73G1JTTD1023B
RS73G1JTTD3091B
RS73G1JTTD7872C
RS73G1JTTD5112B
RS73G1JTTD5493C
RS73G1JTTD3741C
RS73G1JTTD7683C
RS73G1JTTD5361C
RS73G1JTTD1151B
RS73G1JTTD5491B
RS73G1JTTD6342C
RS73G1JTTD8453B
RS73G1JTTD7873C
RS73G1JTTD1051C
RS73G1JTTD9763C
RS73G1JTTD8061B
RS73G1JTTD4022C
