产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JANS2N6988
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.6V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-116
- 功率 - 最大值 :
- 400mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 14-DIP（0.300"，7.62mm）
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 4 PNP（四路）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2BTTD5622F100
RN73H2BTTD6423D100
RN73H2BTTD6122D50
RN73H2BTTD5693F100
RN73H2BTTD6491F50
RN73H2BTTD68R0D100
RN73H2BTTD8663F50
RN73H2BTTD75R0D25
RN73H2BTTD7502D50
RN73H2BTTD7153D100
RN73H2BTTD9422F50
RN73H2BTTD5901D50
RN73H2BTTD5423D100
RN73H2BTTD6420F25
RN73H2BTTD5100F25
RN73H2BTTD5173F100
RN73H2BTTD8062D50
RN73H2BTTD8063F25
RN73H2BTTD9313F100
RN73H2BTTD59R0D50
