产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSVT3904DXV6T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-563
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342H07B59E0RT5
D55342H07B5E11RT5
D55342H07B5E36RT5
D55342H07B5E49PT5
D55342H07B5E49RT5
D55342H07B5E62RT5
D55342H07B619DRT5
D55342H07B61E9RT5
D55342H07B634ERT5
D55342H07B649DRT5
D55342H07B64D9MT5
D55342H07B66E5RT5
D55342H07B68E1RT5
D55342H07B69E8RT5
D55342H07B6E19RT5
D55342H07B6E49RT5
D55342H07B715DRT5
D55342H07B750DRT5
D55342H07B750ERT5
D55342H07B75D0RT5
