文档与媒体
- 数据列表
- PEMZ1,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 200mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 1mA,6V
- 供应商器件封装 :
- SOT-666
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN,PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 40V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MKL81Z128VLK7
TMS320F28015PZS
TMS320F2801PZS-60
MSP430FR68791IPN
S9S12XS256J0MAAR
S9S12XS256J0CAA
S9S12XS256J0CAE
S9S12XS256J0MAE
LPC18S30FET100E
LM3S812-IQN50-C2
MC9S08DV32AMLF
MC56F8256MLF
S9S12XS256J0CAAR
MKV46F256VLL16P
MC9S12GC16CFAE
MSP430F5632IPZ
MSP430F2417TPN
MSP430F1491IRTDR
MSP430F156IRTDR
MC9S08DN60ACLF
