文档与媒体
- 数据列表
- BCM857BSH-QX
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSSOP
- 功率 - 最大值 :
- 270mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- 175°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
8N4SV76KC-0040CDI
8N4SV76KC-0040CDI8
8N4SV76KC-0041CDI
8N4SV76KC-0041CDI8
8N4SV76KC-0042CDI
8N4SV76KC-0042CDI8
8N4SV76KC-0043CDI
8N4SV76KC-0043CDI8
8N4SV76KC-0044CDI
8N4SV76KC-0044CDI8
8N4SV76KC-0045CDI
8N4SV76KC-0045CDI8
8N4SV76KC-0046CDI
8N4SV76KC-0046CDI8
8N4SV76KC-0047CDI
8N4SV76KC-0047CDI8
8N4SV76KC-0048CDI
8N4SV76KC-0048CDI8
8N4SV76KC-0049CDI
8N4SV76KC-0049CDI8
