产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- QST9TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 350mV @ 25mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 270 @ 100mA,2V
- 供应商器件封装 :
- TSMT6(SC-95)
- 功率 - 最大值 :
- 1.25W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 320MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K06B18E7SWIV
M55342K06B23E7SWIV
M55342H06B1B21SWI
M55342K06B18E2SWIV
M55342E06B33B2STI
M55342E06B18B0STI
M55342K06B75D0SWIV
M55342E06B10E2SWI
M55342E06B10E0SWP
M55342E06B49D9STI
M55342K06B25E5STIV
M55342K06B750DSWIV
M55342K06B4B64STI
M55342K06B12B0SWI
M55342K06B118ESTIV
M55342E06B56B2STI
M55342K06B255ASWI
M55342H06B68B1SWI
M55342K06B11E3STIV
M55342H06B1B33SWI
