产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- EMT2T2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 1mA，6V
- 供应商器件封装 :
- EMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-563，SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
BPSY00191576100M00
BMMA001313352R2MV1
BPCI00121280122MA0
PM4343.221NLT
8250-820K-RC
IMC1812EB390J
CDRH12D58/ANP-331MC
CDRH12D58/ANP-150MC
BPSY00191576220M00
BMMA00131335100MV1
BPCI00121280121TA0
PM4343.472NLT
8250-R56K-RC
IMC1812EB391K
CDRH12D58/ANP-390MC
CDRH12D58/ANP-220MC
BPSY00191576102M00
BMMA001313351R5MX1
BPCI00121280201MA0
PM4343.562NLT
