产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- US6X8TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 25mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TUMT6
- 功率 - 最大值 :
- 400mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 320MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
STM32F405RGT6W
MSP430F6779IPZ
PIC32MZ2048ECM100-I/PF
ATSAME70Q20A-CN
PIC32MZ1025DAH169T-I/6J
LPC1823JET100E
STM32F746VGH6
MSP430F437IPN
STM32F427VGT7
STM32L4R9VGT6
MC9S12GC32CPBE
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F469VGT6
SPC5603BF2CLL4
C8051F588-IM
TMS320F28065PZT
PIC32MZ2064DAA176T-I/2J
STM32F439VGT6
TMS320F28075PTPT
