产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC847SH6327XTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT363-PO
- 功率 - 最大值 :
- 250mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR32BP330BKZRAT
CDR32BP330BKZSAT
CDR32BP331BFZMAT
CDR32BP331BFZPAT
CDR32BP331BFZRAT
CDR32BP331BFZSAT
CDR32BP331BJZMAT
CDR32BP331BJZPAT
CDR32BP331BJZRAT
CDR32BP331BJZSAT
CDR32BP331BKZMAT
CDR32BP331BKZPAT
CDR32BP331BKZRAT
CDR32BP331BKZSAT
CDR32BP360BFZMAT
CDR32BP360BFZPAT
CDR32BP360BFZRAT
CDR32BP360BFZSAT
CDR32BP360BJZMAT
CDR32BP360BJZPAT
