产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- VT6T11T2R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 1mA，2V
- 供应商器件封装 :
- VMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 PNP（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 350MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1808Y1000392JXT
1808Y1000472JXT
1808Y1000562JXT
1808Y1K00392JXT
1808Y1K00472JXT
1808Y1K00562JXT
1808Y2000392JXT
1808Y2000472JXT
1808Y2000562JXT
1808Y2500392JXT
1808Y2500472JXT
1808Y5000392JXT
1808Y5000472JXT
1808Y5000562JXT
1808Y6300392JXT
1808Y6300472JXT
1808Y6300562JXT
1808JA250270KKRSYX
1808JA250122KJRUYS
1808JA250121JGRSYS
