产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMDT3904HE3-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C410C150J1G5TA7200
C1206C821J5GAC7800
C0402S102K4RACAUTO
C0603C683J5RACAUTO
C0402S471K3RAC7867
C0805X332J1RAC7800
C0603X229C5GAC7867
C0603C229B1GAC7867
C0603S102K2RAC7867
C0805C473J3RAC7800
A333K15X7RH5UAAP
C0603X683K4RACAUTO
C0603X339C5GAC7867
C1206C332JAGAC7800
C0603C101J2GACAUTO
C1206C682J5GEC7800
C1206C823J5RAC7800
C0805C479C2GAC7800
C0805C683J3RAC7800
C0603X333J3RAC7867
