文档与媒体
- 数据列表
- MMDT2227A_R1_00001
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-363
- 功率 - 最大值 :
- 225mW，200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP 互补
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 40V，60V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10nA，50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz，200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNR65H49R9FRB14
RNR65H5110FRB14
RNR65H6041FPB14
RNR65H6042FRB14
RNR65H1332FRB14
RNR65H8253FRB14
CMF5515M000FHBF
CMF5515M000FHEK
RLR05C4573FRRE8
RLR05C4553FRRE8
RLR05C5103FRRE8
RLR05C6203FRR36
RLR05C5103FMR36
RLR05C4703FPR36
RLR05C6803FMR36
RLR05C5103FRR36
RLR05C6803FPR36
RLR05C5103FPR36
RLR05C6803FRR36
RNC55J5363DSB1465
