产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- HN1C03FU-B,LF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 100mV @ 3mA，30A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 350 @ 4mA，2V
- 供应商器件封装 :
- US6
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- 2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 300mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR33BP152BJYMAB
CDR33BP152BJYMAC
CDR33BP152BJYMAJ
CDR33BP152BJYMAP
CDR33BP152BJYMAR
CDR33BP152BJYMAT
CDR33BP152BJYPAB
CDR33BP152BJYPAC
CDR33BP152BJYPAJ
CDR33BP152BJYPAP
CDR33BP152BJYPAR
CDR33BP152BJYPAT
CDR33BP152BJYRAB
CDR33BP152BJYRAC
CDR33BP152BJYRAJ
CDR33BP152BJYRAP
CDR33BP152BJYRAR
CDR33BP152BJYRAT
CDR33BP152BJYSAB
CDR33BP152BJYSAC
