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- 数据列表
- QS5Y2FSTR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 50mA，3V
- 供应商器件封装 :
- TSMT5
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP（耦合发射器）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 320MHz，300MHz
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